Organic thin-film transistor and manufacturing method thereof

WO03058723 Art A1 17. Juli 2003

Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO03058723
Aktenzeichen: EP02793439
Anmeldetag: 27. Dezember 2002
Veröffentlichung: 17. Juli 2003
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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