Speicherzelle mit Niedertemperatur-Schichten im Grabenkondensator

WO03060994 Art A1 24. Juli 2003

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO03060994
Aktenzeichen: EP03700316
Anmeldetag: 8. Januar 2003
Veröffentlichung: 24. Juli 2003
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8242

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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