Nitride semiconductor device manufacturing method

WO03063215 Art A1 31. Juli 2003

Anmelder: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO03063215
Aktenzeichen: EP03701129
Anmeldetag: 21. Januar 2003
Veröffentlichung: 31. Juli 2003
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/20H01L21/205H01L29/201H01L21/338H01L31/10H01L33/00H01S5/323

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Panasonic

Japanischer Konzern, der Haushaltsgeräte, Unterhaltungselektronik, Batterien sowie Komponenten und Lösungen für Industrie und Automobilbau entwickelt und herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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