An arrangement for preventing short-circuiting in a bipolar double-poly transistor and a method of fabricating such an arrangement

WO03063224 Art A1 31. Juli 2003

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO03063224
Aktenzeichen: EP02791160
Anmeldetag: 2. Dezember 2002
Veröffentlichung: 31. Juli 2003
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/314H01L21/8222H01L29/70

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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