Nitride semiconductor laser device and its manufacturing method

WO03063312 Art A1 31. Juli 2003

Anmelder: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO03063312
Aktenzeichen: EP03701785
Anmeldetag: 20. Januar 2003
Veröffentlichung: 31. Juli 2003
Rechtsraum: WO
IPC: H01S5/323

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Panasonic

Japanischer Konzern, der Haushaltsgeräte, Unterhaltungselektronik, Batterien sowie Komponenten und Lösungen für Industrie und Automobilbau entwickelt und herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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