Semiconductor devices formed of iii-nitride compounds, lithium-niobate-tantalate, and silicon carbide

WO03071605 Art A2 28. August 2003

Anmelder: GEORGIA TECH RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO03071605
Aktenzeichen: EP03713457
Anmeldetag: 14. Februar 2003
Veröffentlichung: 28. August 2003
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/04

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: GEORGIA TECH RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Georgia Tech Research Corporation

Die Georgia Tech Research Corporation ist die Einrichtung des Georgia Institute of Technology in den USA, die Forschungsverträge verwaltet und geistiges Eigentum der Universität lizenziert.

1.409 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von