Abgestufte Struktur mit Mehrfachschicht-Resist-Aufbau
WO03073477
Art A2
4. September 2003
Anmelder: Freescale Semiconductor Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO03073477
- Aktenzeichen
- EP03710877
- Anmeldetag
- 4. Februar 2003
- Veröffentlichung
- 4. September 2003
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Freescale Semiconductor Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Freescale Semiconductor
Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.
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