Zweifache Grabenisolation für eine Phasenänderungsspeicherzelle und Herstellungsverfahren

WO03073511 Art A1 4. September 2003

Anmelder: Intel Corporation, Ovonyx, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO03073511
Aktenzeichen: EP02717496
Anmeldetag: 22. Februar 2002
Veröffentlichung: 4. September 2003
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/102H01L21/762H01L45/00H01L27/24G11C11/34

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Intel Corporation
Ovonyx, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

26.628 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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