Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit einer Energieabsorbierenden Schicht und Entsprechende Struktur

WO03075329 Art A2 12. September 2003

Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO03075329
Aktenzeichen: EP03709408
Anmeldetag: 26. Februar 2003
Veröffentlichung: 12. September 2003
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/24H01L21/263H01L21/28

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Freescale Semiconductor, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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