Heterojunction Bipolar Transistor Having Thinned Base-Collector Depletion Region
WO03077284
Art A2
18. September 2003
Anmelder: Yale University 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO03077284
- Aktenzeichen
- EP03723682
- Anmeldetag
- 4. März 2003
- Veröffentlichung
- 18. September 2003
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L31/11
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yale University
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Yale University
US-amerikanische private Forschungsuniversität in New Haven, Connecticut, gegründet 1701.
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