Integrated circuit device and method for manufacturing the same

WO03077317 Art A1 18. September 2003

Anmelder: Renesas Technology Corp., Hitachi Tohbu Semiconductor, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO03077317
Aktenzeichen: EP02702835
Anmeldetag: 8. März 2002
Veröffentlichung: 18. September 2003
Rechtsraum: WO
IPC: H01L25/00H01L21/56

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Renesas Technology Corp.
Hitachi Tohbu Semiconductor, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Technology

Renesas Technology war ein japanischer Halbleiterhersteller und Vorgängerunternehmen der heutigen Renesas Electronics. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Software, ergänzt um Datenspeicher- und Schaltungstechnik. Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2009.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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