Method for producing substrate material and semiconductor device including plasma processing

WO03079456 Art A1 25. September 2003

Anmelder: Japan Science and Technology Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO03079456
Aktenzeichen: EP02807060
Anmeldetag: 7. Oktober 2002
Veröffentlichung: 25. September 2003
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/94H01L21/28H01L21/283H01L21/318H01L29/786H01L31/04

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Japan Science and Technology Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Japan Science and Technology

Japan Science and Technology ist eine japanische staatliche Einrichtung zur Förderung von Wissenschaft und Technologie, aus der später die Japan Science and Technology Agency hervorging. Das Patentportfolio deckt breit Pharma und Biotechnologie, organische Chemie sowie Mess- und Prüftechnik ab. Anmeldungen liegen im Zeitraum 2000 bis 2005.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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