Band gap engineering of amorphous al-ga-n alloys

WO03080889 Art A1 2. Oktober 2003

Anmelder: OHIO UNIVERSITY 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO03080889
Aktenzeichen: EP02807122
Anmeldetag: 2. Dezember 2002
Veröffentlichung: 2. Oktober 2003
Rechtsraum: WO
IPC: C23C14/06H01L21/203

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: OHIO UNIVERSITY
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Ohio University

Die Ohio University ist eine staatliche US-amerikanische Universität in Athens, Ohio. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Messtechnik, ergänzt um Pharma, Halbleiter- und organische Chemie. Die Anmeldungen decken ein breites Spektrum von kohlenstoffverstärkten Werkstoffen bis zu Wegplanung für autonome Fahrzeuge ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von