Method of microfabricating crystal tio sb 2 /sb and microfabricated crystal tio sb 2 /sb
Anmelder: WASEDA UNIVERSITY, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO03080902
- Aktenzeichen
- EP03712837
- Anmeldetag
- 24. März 2003
- Veröffentlichung
- 2. Oktober 2003
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B29/16C30B33/04C01G23/04G02B1/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- WASEDA UNIVERSITY
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology - Land
- 🇯🇵 Japan
Waseda University ist eine private japanische Universität mit Sitz in Tokio und breitem ingenieurwissenschaftlichem Forschungsprofil. Das Patentportfolio verteilt sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente, Medizintechnik und Gesundheit sowie Mess- und Werkstofftechnik. Anmeldungen laufen kontinuierlich seit dem Jahr 2000.
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Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.
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