Herstellungsverfahren F R einen Kontakt in einer Halbleiters Truktur und Entsprechender Kontakt

WO03081666 Art A1 2. Oktober 2003

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO03081666
Aktenzeichen: EP03744777
Anmeldetag: 5. Februar 2003
Veröffentlichung: 2. Oktober 2003
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8242H01L27/108

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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