Herstellungsverfahren für eine Mehrzahl von Ungefähr Gleich Hohen und Gleich Beabstandeten Gatestapeln auf einem Halbleitersubstrat

WO03083931 Art A1 9. Oktober 2003

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO03083931
Aktenzeichen: EP03708254
Anmeldetag: 18. März 2003
Veröffentlichung: 9. Oktober 2003
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/60H01L21/768

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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