Method and apparatus for repairing defective columns of memory cells

WO03085671 Art A1 16. Oktober 2003

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO03085671
Aktenzeichen: EP00992292
Anmeldetag: 28. August 2000
Veröffentlichung: 16. Oktober 2003
Rechtsraum: WO
IPC: G11C7/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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