High Speed Soi Transistors

WO03085744 Art A1 16. Oktober 2003

Anmelder: Honeywell International Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO03085744
Aktenzeichen: EP03746129
Anmeldetag: 3. April 2003
Veröffentlichung: 16. Oktober 2003
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Honeywell International Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Honeywell

US-amerikanischer Mischkonzern mit Schwerpunkten in Luft- und Raumfahrttechnik, Automatisierungslösungen, Gebäudetechnik sowie Spezialchemikalien und -materialien für Industrie- und Verteidigungskunden.

13.046 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von