Method of treating substrate and process for producing semiconductor device

WO03090268 Art A1 30. Oktober 2003

Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO03090268
Aktenzeichen: EP03719150
Anmeldetag: 21. April 2003
Veröffentlichung: 30. Oktober 2003
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/304H01L21/316H01L21/318

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: TOKYO ELECTRON LIMITED
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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