Methods Used in Fabricating Gates in Integrated Circuit Device Structures

WO03090275 Art A1 30. Oktober 2003

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO03090275
Aktenzeichen: EP03747025
Anmeldetag: 16. April 2003
Veröffentlichung: 30. Oktober 2003
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L21/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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