Verfahren zum Ätzen von Siliziumnitrid-Spacern mit Hoher Selektivität zu Oxid in einer Kammer mit Plasma Hoher Dichte

WO03094217 Art A1 13. November 2003

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO03094217
Aktenzeichen: EP03728645
Anmeldetag: 30. April 2003
Veröffentlichung: 13. November 2003
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/311

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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