Verfahren zur Wachsen von Einkristallinem Oxid mit einem Darauf Angeordneten Halbleiterbauelement

WO03094218 Art A2 13. November 2003

Anmelder: Freescale Semiconductor Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO03094218
Aktenzeichen: EP03724260
Anmeldetag: 24. April 2003
Veröffentlichung: 13. November 2003
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/316

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Freescale Semiconductor Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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