Method for forming a nickel silicide layer on a silicon substrate

WO03096407 Art A1 20. November 2003

Anmelder: Agency for Science, Technology and Research, NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE 🇸🇬

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO03096407
Aktenzeichen: EP03749818
Anmeldetag: 25. April 2003
Veröffentlichung: 20. November 2003
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/44H01L21/283H01L21/24H01L21/4763H01L29/45

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Agency for Science, Technology and Research
NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE
Land: 🇸🇬 Singapur

🇸🇬 Agency for Science, Technology and Research

Staatliche Forschungsorganisation Singapurs (bekannt als A*STAR), zuständig für angewandte Forschung in Biomedizin, Physik und Ingenieurwissenschaften. Fördert Technologietransfer zwischen Wissenschaft und Industrie.

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🇸🇬 National University of Singapore

Staatliche Universität in Singapur, eine der größten und international bestbewerteten Hochschulen Asiens. Sie ist in Forschung und Lehre breit aufgestellt, mit starken Ingenieur- und Naturwissenschaftsfakultäten.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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