Improving the triggering of an esd nmos through the use of an n-type buried layer

WO03096418 Art A1 20. November 2003

Anmelder: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO03096418
Aktenzeichen: EP02780501
Anmeldetag: 18. Oktober 2002
Veröffentlichung: 20. November 2003
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/62

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor war ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller, der 2016 von ON Semiconductor übernommen wurde. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiter- und Schaltungstechnik sowie Leistungselektronik. Die Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2017.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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