Stacked 1T- I N /i Memory Cell Structure

WO03098636 Art A2 27. November 2003

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO03098636
Aktenzeichen: EP03753053
Anmeldetag: 16. Mai 2003
Veröffentlichung: 27. November 2003
Rechtsraum: WO
IPC: G11C11/15G11C11/16H01L27/22H01L27/115H01L27/10H01L27/24

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

3.194 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von