Ausführungsform einer Metallisierungsstruktur unter einem Löthöcker für Hoch Zuverlässige Bauelemente

WO03098688 Art A2 27. November 2003

Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO03098688
Aktenzeichen: EP03728830
Anmeldetag: 12. Mai 2003
Veröffentlichung: 27. November 2003
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/485H01L21/60

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Freescale Semiconductor, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

2.392 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von