Method for forming silicon dioxide film on silicon substrate, method for forming oxide film on semiconductor substrate, and method for producing semiconductor device

WO03100844 Art A1 4. Dezember 2003

Anmelder: Japan Science and Technology Agency 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO03100844
Aktenzeichen: EP03755280
Anmeldetag: 21. Mai 2003
Veröffentlichung: 4. Dezember 2003
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/316

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Japan Science and Technology Agency
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Japan Science and Technology Agency

Japanische staatliche Förderorganisation für Wissenschaft und Technologie, die Forschungsprojekte finanziert und den Technologietransfer zwischen Universitäten und Industrie unterstützt. Die Behörde untersteht dem japanischen Bildungsministerium.

2.090 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von