Verfahren zum Herstellen eines Doppel-Gate-Transistors

WO03103035 Art A1 11. Dezember 2003

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO03103035
Aktenzeichen: EP03735319
Anmeldetag: 27. Mai 2003
Veröffentlichung: 11. Dezember 2003
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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