Piezoelectric device comprising ultrahighly-orientated aluminum nitride thin film and its manufacturing method

WO03103066 Art A1 11. Dezember 2003

Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO03103066
Aktenzeichen: EP03733186
Anmeldetag: 29. Mai 2003
Veröffentlichung: 11. Dezember 2003
Rechtsraum: WO
IPC: H01L41/08H01L41/24

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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