Herstellungsverfahren für ein Substrat mit einer Nutzschicht aus Monokristallinem Halbleitermaterial

WO03105219 Art A1 18. Dezember 2003

Anmelder: S.O.I.TEC Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO03105219
Aktenzeichen: EP03740963
Anmeldetag: 11. Juni 2003
Veröffentlichung: 18. Dezember 2003
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/762H01L21/76H01L21/04H01L21/20

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: S.O.I.TEC Silicon on Insulator Technologies
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies

S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies war ein französischer Hersteller von Silizium-auf-Isolator-Wafern für die Halbleiterindustrie, das heutige Unternehmen firmiert als Soitec. Der Patentbestand konzentriert sich fast ausschließlich auf Halbleiterbauelemente und Waferbondverfahren.

323 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von