Semiconductor device including insulated-gate field-effect transistor and its manufacturing method

WO03105235 Art A1 18. Dezember 2003

Anmelder: NEC Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO03105235
Aktenzeichen: EP03736098
Anmeldetag: 9. Juni 2003
Veröffentlichung: 18. Dezember 2003
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NEC Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 NEC

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Tokio, der IT- und Netzwerklösungen, Telekommunikationsausrüstung sowie Sicherheits- und Biometrietechnik anbietet.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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