Verfahren zur Herstellung einer Gate-Struktur von einem Feldeffekttransistor

WO2004001799 Art A2 31. Dezember 2003

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004001799
Aktenzeichen: EP03742061
Anmeldetag: 18. Juni 2003
Veröffentlichung: 31. Dezember 2003
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/033H01L21/28

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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