Insulated-gate semiconductor device and approach involving junction-induced intermediate region

WO2004001801 Art A2 31. Dezember 2003

Anmelder: The Board of Trustees of the Leland Stanford Junior University 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004001801
Aktenzeichen: EP03761116
Anmeldetag: 19. Juni 2003
Veröffentlichung: 31. Dezember 2003
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: The Board of Trustees of the Leland Stanford Junior University
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 The Board of Trustees of the Leland Stanford Junior University

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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