A method for improving hole mobility enhancement in strained silicon p-type mosfet

WO2004001811 Art A2 31. Dezember 2003

Anmelder: MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004001811
Aktenzeichen: EP03761346
Anmeldetag: 25. Juni 2003
Veröffentlichung: 31. Dezember 2003
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/00

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Abstract

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Anmelder

Firma: MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Massachusetts Institute of Technology

US-amerikanische Universität mit Sitz in Cambridge, Massachusetts, eine der weltweit führenden Forschungseinrichtungen. Aktiv in nahezu allen technischen und naturwissenschaftlichen Feldern, darunter Informatik, Ingenieurwesen, Materialwissenschaften und Biotechnologie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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