Method for manufacturing semiconductor device

WO2004001833 Art A1 31. Dezember 2003

Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004001833
Aktenzeichen: EP03730805
Anmeldetag: 3. Juni 2003
Veröffentlichung: 31. Dezember 2003
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/316C23C16/40H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: TOKYO ELECTRON LIMITED
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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