Method and structures for reduced parasitic capacitance in integrated circuit metallizations

WO2004001846 Art A2 31. Dezember 2003

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004001846
Aktenzeichen: EP03761359
Anmeldetag: 18. Juni 2003
Veröffentlichung: 31. Dezember 2003
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/485H01L23/64

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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