Semiconductor device and its manufacturing method

WO2004003989 Art A1 8. Januar 2004

Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004003989
Aktenzeichen: EP03741126
Anmeldetag: 26. Juni 2003
Veröffentlichung: 8. Januar 2004
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/316H01L21/822H01L27/04H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

3.785 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von