Verfahren zum Bestimmen des Aufbaus einer Maske zum Mikrostrukturieren von Halbleitersubstraten mittels Fotolithographie
WO2004006015
Art A2
15. Januar 2004
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2004006015
- Aktenzeichen
- EP03762422
- Anmeldetag
- 30. Juni 2003
- Veröffentlichung
- 15. Januar 2004
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G03F1/14G03F1/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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