Gated fabrication of nanostructure field emission cathode material within a device

WO2004006278 Art A2 15. Januar 2004

Anmelder: UT-Battelle, LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004006278
Aktenzeichen: EP02807585
Anmeldetag: 28. Mai 2002
Veröffentlichung: 15. Januar 2004
Rechtsraum: WO
IPC: H01J1/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: UT-Battelle, LLC
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 UT-Battelle

UT-Battelle ist der Betreiber des Oak Ridge National Laboratory in den USA, ein Gemeinschaftsunternehmen der University of Tennessee und des Battelle Memorial Institute. Das Patentportfolio deckt breit Halbleiterbauelemente, Mess- und Prüftechnik sowie Metallurgie und Werkstoffe ab. Anmeldungen sind seit 2000 dokumentiert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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