Method and apparatus for non-invasive measurement and analys of semiconductor plasma parameters
WO2004006284
Art A1
15. Januar 2004
Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2004006284
- Aktenzeichen
- EP03762994
- Anmeldetag
- 18. Juni 2003
- Veröffentlichung
- 15. Januar 2004
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01J37/32
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- TOKYO ELECTRON LIMITED
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tokyo Electron
Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.
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