Multi-state mram with improved storage density

WO2004010436 Art A1 29. Januar 2004

Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004010436
Aktenzeichen: EP03765472
Anmeldetag: 27. Juni 2003
Veröffentlichung: 29. Januar 2004
Rechtsraum: WO
IPC: G11C11/56G11C11/16

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Freescale Semiconductor, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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