Method for fabricating a notch gate structure of a field effect transistor

WO2004010484 Art A1 29. Januar 2004

Anmelder: Applied Materials, Inc., APPLIED MATERIALS, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004010484
Aktenzeichen: EP03765849
Anmeldetag: 22. Juli 2003
Veröffentlichung: 29. Januar 2004
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/033H01L21/28

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Applied Materials, Inc.
APPLIED MATERIALS, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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