Verfahren zur Herstellung einer T-Gate-Struktur sowie eines Zugeh Rigen Feldeffekttransistors

WO2004010507 Art A1 29. Januar 2004

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004010507
Aktenzeichen: EP03764889
Anmeldetag: 11. Juli 2003
Veröffentlichung: 29. Januar 2004
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/423H01L21/28H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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