Reduced Volume, High Conductance Process Chamber
WO2004012229
Art A2
5. Februar 2004
Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2004012229
- Aktenzeichen
- EP03771550
- Anmeldetag
- 30. Juli 2003
- Veröffentlichung
- 5. Februar 2004
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- TOKYO ELECTRON LIMITED
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tokyo Electron
Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.
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