Method for forming a polysilicon gate in two dry-etching steps

WO2004012255 Art A1 5. Februar 2004

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004012255
Aktenzeichen: EP03771586
Anmeldetag: 3. Juli 2003
Veröffentlichung: 5. Februar 2004
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3213

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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