Tieftemperatur-Plasma-Si oder Sige für Mems-Anwendungen
WO2004013039
Art A2
12. Februar 2004
Anmelder: Freescale Semiconductor Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2004013039
- Aktenzeichen
- EP03726822
- Anmeldetag
- 13. Mai 2003
- Veröffentlichung
- 12. Februar 2004
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- B81C1/00B81B3/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Freescale Semiconductor Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Freescale Semiconductor
Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.
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