Niobium capacitor and method for manufacturing same

WO2004013879 Art A1 12. Februar 2004

Anmelder: ROHM CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004013879
Aktenzeichen: EP03766683
Anmeldetag: 31. Juli 2003
Veröffentlichung: 12. Februar 2004
Rechtsraum: WO
IPC: H01G9/042

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: ROHM CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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