Iii group nitride semiconductor substrate and method for preparation thereof, and iii group nitride semiconductor element and method for preparation thereof

WO2004013912 Art A1 12. Februar 2004

Anmelder: NEC Corporation, NEC CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004013912
Aktenzeichen: EP03766695
Anmeldetag: 1. August 2003
Veröffentlichung: 12. Februar 2004
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/417

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: NEC Corporation
NEC CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 NEC

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Tokio, der IT- und Netzwerklösungen, Telekommunikationsausrüstung sowie Sicherheits- und Biometrietechnik anbietet.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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