Cmp abrasive and substrate polishing method
WO2004015021
Art A1
19. Februar 2004
Anmelder: Hitachi Chemical Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2004015021
- Aktenzeichen
- EP03784543
- Anmeldetag
- 6. August 2003
- Veröffentlichung
- 19. Februar 2004
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C09K3/14H01L21/304B24B37/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Hitachi Chemical Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Hitachi Chemical
Ehemaliges japanisches Chemieunternehmen, das Materialien für Halbleiter, Batterien und Verbundwerkstoffe herstellte. Ging nach mehreren Umfirmierungen im Konzern Resonac auf.
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Vertreten von
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