Low loss rf bias electrode for a plasma reactor with enhanced wafer edge rf coupling and highly efficient wafer cooling

WO2004015736 Art A2 19. Februar 2004

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004015736
Aktenzeichen: EP03785240
Anmeldetag: 11. August 2003
Veröffentlichung: 19. Februar 2004
Rechtsraum: WO
IPC: H01J37/20H01J37/32

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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